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站在光里,记在芯锂:存储

时间:2026-07-17 03:52:34 来源:科创网 作者:焦点 阅读:595次

文 任泽平

AI算力爆发,站在光里全球存储龙头SK海力士、记芯三星电子暴涨。锂存1、站在光里存储决定算力AI训练、记芯推理均需海量数据支撑,锂存存储数据的站在光里读取运行效率直接决定AI模型跑的速度。如果存储速度滞后于算力速度,记芯就会形成“内存墙”,锂存导致芯片闲置、站在光里算力损耗。记芯数据搬运能耗极高,锂存占AI芯片运行能耗的站在光里一半以上,存储综合性能对算力有决定性影响。记芯当前AI大模型参数规模突破万亿级,锂存对存储容量、带宽的需求呈指数级增长,重要性不言而喻。2、两大技术趋势芯片堆叠技术、存算一体是存储未来两大关键技术方向。芯片堆叠,以HBM为代表,把多颗DRAM芯片堆叠封装、并与GPU集成,拓宽数据通道、提升算力吞吐。未来带宽跃迁,从HBM3E向HBM4迭代升级,单颗芯片容量达24GB,带宽突破2.4Tbps,读写速度倍增,成为AI服务器核心技术支撑,更适配下一代AI大模型训练。存算一体,就是让存储离计算更近。在存储单元内嵌计算能力,实现数据原地计算,大幅减少数据传输延迟和能耗损耗。存算一体芯片可将数据传输延迟降低50%以上,运算能耗减少30%-60%。3、全球存储格局:寡头垄断、国产崛起全球存储市场呈寡头垄断格局,赛道分为DRAM、NAND、HBM。DRAM领域,三星、SK海力士、美光占据超90%市场份额。NAND闪存领域,三星、SK海力士、铠侠等市占率超85%。高带宽存储HBM是现在AI服务器标配。近两年全球存储全面涨价2-3倍,本质就是HBM需求爆发带来的供给紧缺,涨价外溢。HBM领域,SK海力士以60%全球份额主导市场,深度绑定英伟达。目前国产HBM已进入小批量产阶段,多家企业布局存算一体芯片,借AI弯道超车,开始打破海外垄断。4、AI不是风口,是海啸我今年1月初从美国考察回来提醒:AI不是风口,是海啸,远超30年前的IT互联网。超级应用大爆发,中国力量崛起。AI的背后是算力,算力的背后是电力。这是我们这代人最重要的机遇,人生发财靠周期。AI海啸1:经济学家任泽平赴美考察回来提醒,AI不是风口,是海啸AI海啸2:2026十大年度预测:AI改变世界AI海啸3:算力大爆发,未来三大趋势大势研判,你可以相信身经百战的老法师,大满贯冠军分析师,最贵经济学家,3500万订阅。清华大学博士后,耶鲁大学创新学者,国务院发展研究中心前智囊。

(责任编辑:焦点)

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